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隨著集成電路技術的發展，半導體封裝技術也在不斷創新和改進，以滿足高性能、小型化、高頻化、低功耗、以及低成本的要求。等離子處理技術作為一種高效、環保的解決方案，能夠滿足先進半導體封裝的要求，被廣泛應用于半導體芯片DB/WB工藝、Flip Chip (FC)倒裝工藝中。

汽車大尺寸內飾塑膠件普遍呈彎曲、凹凸等非平面造型，火焰法處理與常壓等離子均處理時會存在無法處理到的死角，使用大腔體真空等離子可高效、全方位均勻進行表面活化處理，提高潤濕性，從而提高粘接強度，不同規格的內飾件可定制相應尺寸的腔體。

化妝品中的乳化、分散、增溶、發泡和清潔等功能都與表界面能有關，通過接觸角測量儀可以測量化妝品中原料的接觸角，從而幫助判斷和分析其潤濕和分散行為。

目前已經發現至少六種導致接觸角滯后的因素。這六種因素可以分為兩類：熱動力學接觸角滯后和動力學接觸角滯后。表面能粗糙度和表面多級結構屬于熱動力學導致的接觸角滯后范疇，這兩個因素同時也是自然界中導致接觸角滯后最普遍的兩種因素；第二類，即動力學導致的接觸角滯后是通過接觸角的時間相關或者周期相關性來定義。

碳化硅（SiC）因其優異的熱穩定性、高硬度、高耐磨性和良好的化學穩定性而備受關注，特別是在高溫、高壓和強腐蝕環境下，碳化硅（SiC）展現出卓越的性能，在半導體、核能、國防及空間技術等領域具有廣闊的應用前景。

接觸角測量儀通過光學投影的原理，對氣、液、固三相界面輪廓進行保真采集精密分析。接觸角測量儀測試方法包括座滴法、增液/縮液法、傾斜法、懸滴法、纖維裹附法、氣泡捕獲法、批量擬合法、插板法等。