芯片Plasma去膠機

在現代半導體生產過程中，會大量使用光刻膠來將電路板圖圖形通過掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護下，對下層薄膜或晶圓基底完成進行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠徹底去除。

半導體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據去膠介質的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類別。

而微波plasma去膠是干式去膠核心方式之一，plasma去膠適合大部分去膠工藝，去膠徹底且速度快，是現有去膠工藝中最好的方式。

晟鼎的微波plasma去膠機，搭載自有微波半導體去膠發生器技術，配置磁流體旋轉架，使微波等離子體更加高效、均勻的輸出，不僅去膠效果好，還能做到無損硅片與其他金屬器件。并提供“微波+Bias RF”雙電源技術，以應對不同客戶需求。

Sindin自主研發  掌控核心技術

國內首家自主研發微波半導體去膠發生器技術；

磁流體旋轉架，保證處理效果均勻；

微波plasma去膠機無放電電極，高效均勻，保證刻蝕率；

低溫等離子體，避免產生熱損傷；

自偏壓要求低，微波結和磁路可以兼容。