碳化硅器件制造環(huán)節(jié)主要包括“光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄”等工藝。為了實現碳化硅器件耐高壓、大電流功能，離子注入工藝成為碳化硅摻雜的重要步驟，離子注入是一種向半導體材料加入一定數量和種類的雜質，以改變其電學性能的方法，可以精確控制摻入的雜質數量和分布情況。然而離子注入后，碳化硅材料原本的晶格結構被破壞而變成非晶態(tài)，這種晶格損傷必須在退火過程中修復成單晶結構并激活摻雜物。

在SiC材料晶體生長過程中，快速退火爐使硅原子可以獲得足夠的能量進行擴散和遷移，重新排列成有序的晶格結構，有利于提高晶體生長的質量和尺寸，減少缺陷和氧化。通過快速退火處理，可以消除晶體中的應力，提高SiC材料的晶體品質和性能，同時，與傳統(tǒng)的退火工藝對比，快速退火具有更高的加熱和冷卻速度，可以有效縮短退火時間，提高生產效率。

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RTP快速退火爐是一種廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體、歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物/氮化物生長等工藝中的加熱設備，能夠在短時間內將半導體材料迅速加熱到高溫，具備良好的熱均勻性。RTP快速退火爐提供了更先進的溫度控制，可以實現秒級退火，提高退火效率的同時可有效節(jié)約企業(yè)的生產成本。

桌面型快速退火爐RTP-Table-6

RTP-Table-6為桌面式4-6英寸晶圓快速退火爐，使用上下兩層紅外鹵素燈管作為熱源加熱，內部石英腔體保溫隔熱，腔體外殼為水冷鋁合金，使得制品加熱均勻，且表面溫度低。RTP-Table-6采用PID控制系統(tǒng)，能快速調節(jié)紅外鹵素燈管的輸出功率，控溫更加精準。

產品優(yōu)勢

◎升溫速度快：升溫速率可達150℃/s，有效節(jié)省工藝時間

◎精確的溫度控制：配備PID控溫，實時調節(jié)燈管功率輸出，保證良好的溫度重現性和溫度均勻性

◎標配三組工藝氣體：如氮氣、氬氣等，滿足不同材料的熱處理需求。

◎實時監(jiān)控：軟件主界面能實時顯示氣體、溫度、真空度等參數

◎緊湊的桌面式設計：適合實驗室和小型生產環(huán)境，節(jié)省空間，便于移動和部署

◎全方位保障使用安全：擁有爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護、設備急停安全保護三重措施

適用范圍

離子注入退火

ITO鍍膜后快速退火

氮化物、氧化物生長

硅化物合金退火

砷化鎵工藝

歐姆接觸快速合金

氧化回流

其他半導體快速熱處理工藝